- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏二极管
SFP6012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管参数、尺寸、规格
编辑：llSFP6012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管参数、尺寸、规格型号：SFP6012A品牌：ASEMI封装：TO-247AC恢复时间：100ns正向电流：60A反向耐压：1200V芯片大小： 102MIL*2芯片个数：1引脚数量：2类型：快恢复二极管特性：快恢复浪涌电流：500A正向压降：2.4V封装尺寸：如图工作温度：-40°C~175°C产品尺寸大小：总长度：29.2mm本体长度：15.4mm 引脚长度：13.8mm宽度：10.3mm高度：4.8mm脚间距：2.55mmSFP6012A-ASEMI快恢复对管，它具有快速的切换速度和低漏电流，同时整流效率和热稳定性也很高。 此外，该二极管还具有典型的耐热性能和可靠性。SFP6012A-ASEMI代理海矽美快恢复二极管，还可以用于逆变电路，如AC驱动器和UPS电源等。在这些电路中，该二极管可以有效地防止电流冲击和反向电流。
25640编辑于 2023-07-29 - 来自专栏保护元件
星海FR系列快恢复二极管SMAGSMBGSMC三种封装对比应用分析
在电子元件领域，星海FR系列快恢复二极管凭借其卓越的性能和多样化的封装形式，深受工程师和电子爱好者的青睐。 本文星海代理商南山电子将探讨星海FR系列快恢复二极管SMAG/SMBG/SMC三种封装对比应用以及各自的特点，帮助您在电路设计中做出更合适的选择。 应用场景SMAG封装小型开关电源：在小型开关电源中，SMAG封装的快恢复二极管能够高效地将高频脉冲电压转换为直流电压，同时降低功耗，提高电源转换效率。其紧凑的尺寸使其在便携式设备中尤为适用。 SMC封装大型变频器：SMC封装的快恢复二极管能够承受更高的电流和电压，适用于大型变频器等对功率要求极高的设备。在变频器中，SMC封装的二极管能够稳定地处理高功率电流，确保变频器的可靠运行。 大功率设备：在大功率设备中，SMC封装的快恢复二极管能够提供更高的功率密度和更强的散热能力。总之，星海FR系列快恢复二极管的SMAG、SMBG、SMC三种封装各有优势，适用于不同的应用场景。
63910编辑于 2025-11-24 - 来自专栏二极管
MUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管20A 800V
编辑：llMUR2080CTR-ASEMI快恢复二极管对管20A 800V型号：MUR2080CTR品牌：ASEMI芯片个数：4封装：TO-220恢复时间：50ns工作温度：-50°C~150°C浪涌电流
31530编辑于 2023-07-12 - 来自专栏李家杂货铺zi
TVS二极管、环流二极管、稳压（齐纳）二极管、肖特基二极管、开关二极管的分类说明
肖特基二极管 5. 开关二极管 ---- 1. 反相钳位电压VC=19.9V，是TVS管导通后被钳位的电压，如果工作电压恢复则钳位作用消失，否则保持钳位状态。 开关二极管 开关二极管由导通变为截止的时间（反向恢复时间），以及由截止变为导通的时间（开通时间）比一般二极管短，势垒电容小，高频条件下的表现好，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中 Diode capacitance 二极管电容 1.5pF(f=1MHz, VR=0) 用在高速信号上时，尽量选择结电容小的二极管 Reverse recovery time 反向恢复时间 4ns 因为反向恢复时间大于开通时间，所以只给出前者 Forward recovery voltage 正向恢复电压 1.75V 从反向电流向正向电流瞬时转换后的电压
2.6K22编辑于 2023-03-21 - 来自专栏wenzi嵌入式软件
TCP 和 UDP 的区别及流量控制，拥塞控制，快重传，快恢复算法详解
image-20210726233128809 TCP 的拥塞控制算法主要涉及到四个，分别是： 慢开始算法 拥塞避免算法 快重传算法 快恢复算法 在讲解这四种拥塞控制算法之前，先假定如下条件： 数据是单方向传送的 image-20210727003439349 快重传算法 有些时候，个别报文段会在网络中丢失，但是实际网络中并没有发生拥塞，这也将导致发送方超时重传，并且误认为是发生了拥塞，这个时候，发送方将拥塞窗口设置为最小值 而采用快重传算法可以让发送方尽可能早地知道发生了个别报文段的丢失，也就是说快重传也就是让发送方尽快进行重传，而不是等待超时重传计时器超时再重传。 具体是怎么样呢？ 快恢复算法 发送方一旦收到3个重复确认，就知道现在只是丢失了个别的报文段。于是不启动慢开始算法，而执行快恢复算法;发送方将慢开始门限值和拥塞窗口值调整为当前窗口的一半;开始执行拥塞避免算法。 小结 综上所述，我们综合前面所叙述的慢开始和拥塞避免算法，以及快重传和快恢复算法举一个例子，例子如下所示： ?
2.4K20发布于 2021-08-13 - 来自专栏韩曙亮的移动开发专栏
【计算机网络】传输层 : TCP 拥塞控制 ( 慢开始 | 拥塞避免 | 快重传 | 快恢复 )
文章目录 一、TCP 拥塞控制 二、TCP 拥塞控制算法 三、慢开始 和 拥塞避免 算法 四、快重传 和 快回复 算法 一、TCP 拥塞控制 ---- TCP 拥塞控制 : ① 拥塞出现表现 : 资源需求总和 降低一台主机的发送速率 ; ④ 流量控制 与 拥塞控制 : 流量控制 是 点到点 的问题 , 拥塞控制 是 全局性 问题 ; 二、TCP 拥塞控制算法 ---- TCP 拥塞控制算法 : 慢开始 拥塞避免 快重传 快恢复 TCP 拥塞控制相关术语 : ① 单向传输 : 拥塞控制假定单向传输数据 , 发送方 向 接收方 发送 数据 , 接收方 向 发送方 回送 确认信息 ; ② 发送窗口 : 接收方 缓存空间 足够大 慢开始门限值 变为 网络拥塞时 的 拥塞窗口的 1/2 大小 ; 拥塞窗口改变时机 : 收到上一个报文段的确认报文后 , 拥塞窗口翻倍 ; 收到上一个报文段的拥塞信息后 , 拥塞窗口变为 1 ; 四、快重传 和 快回复 算法 ---- 快重传算法 : 收到 3 个冗余的 确认后 , 执行快重传算法 ; 示例 : 发送方 给 接收方 发送 1 2 3 4 5 , 五个报文 , 2 号报文丢失 , 如果收到
2.6K00编辑于 2023-03-28 - 来自专栏硬件工程师
齐纳二极管
齐纳二极管（Zener diode）：稳压二极管 利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 与普通整流二极管的区分：（万用表：红进黑出） 首先利用万用表R×1K挡，按把被测管的正、负电极判断出来。 然后将万用表拨至R×10K挡上，黑表笔接被测管的负极，红表笔接被测管的正极，若此时测得的反向电阻值比用R×1K挡测量的反向电阻小很多，说明被测管为稳压管；反之，如果测得的反向电阻值仍很大，说明该管为整流二极管或检波二极管 但如果被测管是一般整流或检波二极管时，则无论用R×1K挡测量还是用R×10K挡测量，所得阻值将不会相差很悬殊。 注意，当被测稳压二极管的稳压值高于万用表R×10K挡的电压值时，用这种方法是无法进行区分鉴别的。
44830编辑于 2022-08-29 南京观海微电子----AC-DC 非隔离电源方案在硬件设计开发
3.4续流二极管示例如上文图中所示的D1。目前一些芯片采用同步整流架构，方案里就省去了续流二极管，外围电路更为简洁。 ||反向耐压值|反向恢复时间直接影响电源的转换效率，所以需要选择快恢复二极管，且反向恢复时间推荐选择35ns。|3.5反馈二极管示例如上文图中所示的D2。 与续流二极管需要选择快恢复二极管不同，反馈二极管需要选择慢管，如1N400x系列的二极管，但需要保证续流二极管和反馈二极管的正向压降值保持一个水平。3.6输出电容示例如上文图中所示的C5。
26110编辑于 2025-12-19- 来自专栏云深之无迹
肖特基二极管-防倒灌的好兄弟
设计的时候，我们经常在关键的位置要加上一个二极管放置倒灌，这里面见面最多的就是这个SS系列： 其实是肖特基二极管，但是生产的厂家有很多 还有安森美也有一堆这样的型号 带条纹的一端是阴极（Cathode） 肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属-半导体结形成的二极管，它和传统的PN结二极管不同，具有更低的正向压降和更快的开关速度。 金属与 N 型半导体接触形成势垒（Schottky Barrier） 当加正向电压时，电子从 N 区“跃过”势垒 → 导通 当加反向电压时，势垒变大 → 截止 没有“复合过程”，因此： 没有反向恢复时间 （非常快） 没有少数载流子积累 → 低电荷存储效应 可以看到很容易就导通，而且反应速度快，但是漏电流大，在低功耗系统里面偷偷的跑电。 如果电路对反向电压有高要求（如 >200V），建议使用 快恢复二极管 最大额定参数（@ 25°C） 电气特性（@ 25°C） Forward Current Derating：温度升高时，允许的正向电流逐渐下降
52410编辑于 2025-03-27 - 来自专栏全栈程序员必看
电力电子技术 学习总结1
2．快速型和超快速型 **快速二极管分为快恢复（FRED）和超快恢复（**Hiper FRED，Hiper Fast soft Recovery Epitaxial Diode）两类。 ，但其内部物理过程却大不相同； 由于金属中无空穴，因此不存在从金属流向半导体材料的空穴流，即SBD的正向电流仅由多子形成，从而没有结型二极管的少子存储现象； 由于没有少子存储现象，反向恢复时没有抽取反向恢复电荷的过程 ，因此反向恢复时间很短，仅为10～40ns； 显然，** 肖特基二极管是一种只有多数载流子参与导电的单极性器件。 ** 肖特基二极管导通压降一般为0.4～1V（随反向耐压的提高，正向导通压降呈增长趋势），比普通二极管和快恢复二极管低； 快恢复二极管的正向导通压降一般在1V以上，随反向耐压的提高，正向导通压降甚至会超过 电力二极管的主要应用： 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，可分成普通二极管、快恢复二极管、与肖特基二极管。
2K20编辑于 2022-07-29 - 来自专栏二极管
APT60DQ20BG-ASEMI新能源功率器件APT60DQ20BG
编辑：llAPT60DQ20BG-ASEMI新能源功率器件APT60DQ20BG型号：APT60DQ20BG品牌：ASEMI封装：TO-3P恢复时间：＞50ns正向电流：60A反向耐压：200V芯片个数 ：2引脚数量：3类型：快恢复二极管特性：插件快恢复二极管、大功率浪涌电流：300A正向压降：1.10V封装尺寸：如图工作温度：-55°C~150°CAPT60DQ20BG特性超快速切换，实现高效率。
22720编辑于 2023-08-24 南京观海微电子-----二极管的特性、性质和作用讲解
(一)二极管是什么?二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子元器件。它具有单向导电性能特性(具有正向特性和反向特性)，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 二极管的符号如图①所示，结构示意图②，单向导电性如图③，各类二极管的符号号如图④，二极管的种类如图⑤图①二极管的符号图②二极管结构示意图图③二极管的单向导电性图④各类二极管符号图⑤二极管的种类(二).二极管的作用是什么 二极管的作用有:整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路等，主要都是由二极管来构成的。(1)整流二极管:将交流电源整流成为直流电流的二极管叫整流二极管。 (4)开关二极管:在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能滿足高频和超高频应用的需要。 (8)肖特基二极管:其特长是:开关速度非常快，反向恢复时间特别短，因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。
32410编辑于 2025-12-11- 来自专栏嵌入式iot
肖特基二极管与瞬态抑制二极管TVS的作用
肖特基二极管与瞬态抑制二极管TVS的作用 1.本文目的2.肖特基二极管典型应用电路3. 瞬态抑制二极管TVS典型应用电路 1.本文目的 电路中二级管的种类繁多，现在主要讲一下肖特基二极管与瞬态抑制二极管的作用与实际的电路连接。 2.肖特基二极管 肖特基二极管与普通二极管的差别如下 (1)减小功率 普通二极管在电流流过时，会产生0.7到1.7V的电压降。而肖特基二极管只有0.15到0.45V的电压降，可以提高效率。 (2)肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。 (3)肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。 典型应用电路 钳位二极管，防止电流倒灌 ? 续流二极管，将电感产生的电流作为输出 ? 3.
2.7K20发布于 2020-03-17 - 来自专栏【C】系列
半导体&二极管
N 型半导体不具备二极管的性质也就是单向导电性！ 当施加向右电场的时候，电子是向左进行运动。 当施加向左电场的时候，电子是向右进行运动。 ㈥P型半导体 为了能够让二极管具有单向导电性，又发明了 P 型半导体。 这个时候就如上图所示一样二极管就是在处于反向特性状态。这个时候它是没有什么电流的，但是会有反向漏电流(微 A)存在『反向截止』。 介绍完半导体我们再来说说二极管。二极管的发明人是英国科学家弗莱明，1884 年，弗莱明出访美国时拜会了爱迪生，共同讨论了电发光的问题。 并推测“爱迪生效应”的背景可能就是由阴极射向阳极的单向电子流，他根据自己对“爱迪生效应”的理解，设计制造了世界上第一只电子二极管，也是人们后来所说的“真空二极管”。
65710编辑于 2022-12-12 - 来自专栏分立器件
德昌SOT-523封装肖特基二极管BAT54STBAT54T性能和应用分析
与普通硅二极管相比，肖特基二极管的正向压降更低，通常在0.3V左右。这意味着在相同的电流下，肖特基二极管的功耗更低，发热更少，从而提高了电路的效率和可靠性。 由于其独特的金属-半导体结结构，肖特基二极管没有传统PN结的“少子存储效应”，反向恢复时间极短，接近0纳秒。这使得它在高频电路中表现出色，能够轻松应对100kHz以上的高频应用场景。 它们可以广泛应用于USBPD快充电路、锂电池保护板、DC-DC转换器等场景。 高频应用由于其极短的反向恢复时间，BAT54ST和BAT54T非常适合高频应用，如开关电源、马达驱动、继电器保护电路等。在这些场景中，肖特基二极管能够有效降低高频整流损耗，提高系统的整体效率。 型号参数型号总功率（瓦特）反向恢复电压（伏特）浪涌正向电流（安培）正向电压（伏特）正向电压（在正向电流 IF 下）（毫安）漏电流（微安）漏电流（在反向电压 VR 下）（伏特）反向恢复时间（纳秒）封装BAT54ST0.1530
39710编辑于 2025-10-31 - 来自专栏全栈程序员必看
如何判断二极管的极性_二极管的反向饱和电流
比如上图如何判断电路正常状态下（麦克风无声音）Q1饱和而不是Q2饱和？ 首先看Q1:因为R2=100R3 所以电流的话R3是100倍的R2, 但是8050放大系数是200倍以上，说明此时三极管已经无力再放大这个基极电流了，三极管处于饱和状态
28810编辑于 2022-09-30 - 来自专栏进步集
【传输层】TCP、三次握手、四次挥手、可靠传输、TCP拥塞控制、慢开始、拥塞避免、快重传、快恢复
如果再是0继续计时 TCP拥塞控制-------资源供应不足、全局性性能变差------------过多数据注入网络------------全局性 拥塞控制4算法---------慢开始--拥塞避免--快重传 --快恢复-----------拥塞窗口---发送方设置 慢开始------开始设置cwnd=1，---------随后每次指数增加------一个往返时延RRT---传输伦次------------- ------就是收到三个冗余ACK后直接重传那个报文 快恢复------拥塞后不从慢开始开始，直接从新的门限值开始线性增加 ---- I could be bounded in a nutshell –快恢复-----------拥塞窗口—发送方设置 慢开始------开始设置cwnd=1，---------随后每次指数增加------一个往返时延RRT—传输伦次----------------- ------就是收到三个冗余ACK后直接重传那个报文 快恢复------拥塞后不从慢开始开始，直接从新的门限值开始线性增加
44020编辑于 2022-12-30 - 来自专栏硬件工程师
几种常见的电源防反接电路
正文： 应用一：二极管 PS：此处不谈桥式整流器，其实用性不大，感兴趣的可以自行去了解。 说到二极管，最大的特点便是单向导通性，但二极管的种类非常多。 这里采用的是肖特基（Schottky）二极管（也称肖特基势垒二极管（简称SBD））。 下面的优缺点只有当你真正遇到问题的时候，才能心领神会！ 优点：开关频率高和正向压降低： （开关频率快，能起到续流的作用；正向压降低，能降低耗散在二极管上的功耗） 缺点：反向偏压较低及反向漏电流偏大： （反向偏压较低，如果用的大电压，可能会直接击穿二极管；反向漏电流大 应用二：MOS管 这里分NMOS与PMOS的用法，两者大体一样，先看下面电路图： 两者都是利用MOS的寄生二极管以及MOS管的导通性。 应用三：保险丝 保险丝可分为自恢复保险丝与一次性保险丝。 建议使用自恢复保险丝，就算其早期成本较高，但是后期的维护成本较低。
3.8K20编辑于 2022-08-29 - 来自专栏用户7494468的专栏
半导体基础知识（2）：PN结二极管和二极管特性
pn结和半导体二极管 正向和反向偏置 二极管作为电路组件 结论 The pn Junction and the Semiconductor Diode Forward and Reverse Bias pn结和半导体二极管 当我们专注于半导体操作的物理学时，我们使用术语pn结；当我们专注于电路设计时，我们使用二极管一词。但是它们本质上是同一回事：基本的半导体二极管是连接有导电端子的pn结。 这在施加的电压等于势垒电压时发生，并且在这些正向偏置条件下，电流开始自由流过二极管。 ? 二极管作为电路组件 前面的讨论揭示了产生硅二极管电行为的两个最突出特征的基本物理过程。 这就是为什么二极管可以用作电流的单向阀的原因。 其次，当施加的正向偏置电压接近势垒电压时，流过二极管的电流呈指数增长。这种指数电压-电流关系使正向偏置二极管的电压降保持相当稳定，如下图所示。 ? 二极管的工作量可以近似为一个恒定的电压降，因为很小的电压增加对应于很大的电流增加。 下图阐明了二极管的物理结构，其电路符号以及我们用于其两个端子的名称之间的关系。
1.5K50发布于 2020-06-29 - 来自专栏硬件工程师
二极管的“几种”应用
不知大家平时有没有留意，二极管的应用范围是非常广的，下面我们来看看我想到几种应用，也可以加深对电路设计的认识： A，特性应用： 由于二极管的种类非常之多，这里这个大类简单罗列下： 稳压二极管（齐纳二极管 ），发光二极管，TVS管，肖特基二极管等等。 B，稳压电路： 采用稳压二极管，常用在电源输入或者输出端，对设备进行保护，防止过压对损坏电路。需要选择一个合适的钳位电压。 齐纳二极管 C，发光指示电路 采用发光二极管，红，绿，蓝等不同颜色，指示电路当前的工作状态，常见电路如下： 注意事项，一般需要避免把LED的负极直接拉到GPIO口进行控制，而是经过一个三极管或者MOS 采用TVS管，可以应用于防静电与防浪涌电路，注意这里只是简单提一些，需要深入了解的可以查看相关的文章，后期会不断丰富： ESD与EOS（surge）防护器件选型 电源电压过冲 E，防反接电路 采用肖特基二极管的开关频率高
68410编辑于 2022-08-29
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号